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SiP基板: 小型エレクトロニクスを実現するコア技術 | UGPCB

SiP基板: 小型エレクトロニクスを実現するコア技術

今日の急速に進化するエレクトロニクス業界では, スマートフォンはよりスリムになりながらもより強力になっています, ウェアラブルデバイスはさまざまな生理学的指標を正確に監視できます. これらの画期的な進歩の背後には、電子機器製造における小型化革命があります, システムインパッケージによる駆動 (SiP) テクノロジー. この革命の重要な実現者として, 高性能を実現するために欠かせない役割を担うSiPパッケージ基板, 高集積化, エレクトロニクス製品の小型化と.

システムインパッケージとは (SiP) とSiP基板?

システムインパッケージ (SiP) 異なる機能を持つ複数のチップを統合する高度な電子パッケージング技術です, 受動部品, およびその他の電子要素を単一のパッケージに収める, 完全なシステムまたはサブシステムを形成する.

従来のシステムオンチップとの比較 (SoC), SiP により設計の柔軟性が向上します. 業界における適切な例えは次のとおりです。: SoC is like a “fixed menu,” while SiP is a “buffet.” It allows engineers to freely select and combine different chips and components based on specific product functionality and performance requirements. この柔軟性により、製品開発サイクルが短縮され、コストが比較的制御可能になります。, 特に市場投入までの時間が厳しい家庭用電化製品に適しています。.

The SiP packaging substrate is the “plate” that carries this “buffet.” It is a special プリント基板 高密度相互接続を使用して製造 (HDI) テクノロジー. 機械的なサポートを提供します, 電気接続, 信号伝送, 内部チップとコンポーネントの熱経路. 標準PCBとの比較, SiP 基板にはライン精度に対する非常に高い要件があります。, 層間接続密度, そして材料性能, の頂点を代表する プリント基板の製造 テクノロジー.

システムインパッケージの内部構造 (SiP)

UGPCB のプレミアム SiP パッケージ基板: 精密な統合を目指した設計

高集積 SiP ソリューションに対する市場の緊急ニーズに応えるため, UGPCB PCB業界における深い技術専門知識を活用して、高性能SiPパッケージ基板を提供します. この製品は、複雑な IC パッケージング向けに特別に設計されています, 安定性と信頼性の高い小型相互接続ソリューションをお客様に提供することを目指しています.

主要な技術仕様:

パラメーター 詳細仕様 技術的優位性 & 意義
製品名 SiPパッケージ基板 システムインパッケージ向けに設計, 高密度のマルチチップ統合を可能にする.
キーマテリアル 盛宜テクノロジー SI10U 低損失, 高周波/高速信号のシグナルインテグリティを保証する高信頼性ラミネート.
レイヤー数 6 レイヤー 十分な配線スペースを提供; 最適化された電力 & EMIを低減するグランドプレーン設計.
仕上がり厚さ 0.5 - 0.6 mm 非常に薄い, ウェアラブルの厳しい厚さ要件を満たす, 電話モジュール, 等.
寸法 35 x 35 mm コンパクトなレイアウト, パッケージスペースを最大限に活用.
はんだマスク PSR-4000 AUS308 高精度, 微細回路ラインを保護する高耐熱性ソルダーマスクインク.
表面仕上げ エネピック (エレクトロレスニッケルエレクトロレスパラジウムイマージョンゴールド) 優れたはんだ接合信頼性とワイヤボンディング能力.
最小穴サイズ 0.075mm (マイクロビア) / 0.1mm マイクロビア技術を活用し、超高密度の層間接続を実現.
分. 線の幅/スペース 50μm / 30μm 高度な HDI 機能に適合, ファインピッチBGA/CSPチップ接続をサポート.
コアアプリケーション SiPパッケージングIC基板 RFフロントエンドに最適, センサーモジュール, 電源管理ユニット (PMU), 等.

当社の基板は 6 層の積層構造を特徴としています (典型的な構造: SIG/GND/PWR/SIG/GND/SIG). 専用の電源プレーンとグランド プレーンは、配電を効果的に管理するだけでなく、電磁干渉を大幅に軽減します。 (エミ) 信号間, 複雑な環境におけるシステムの安定性の向上. この設計は、高速デジタル信号と高感度のアナログ信号が共存する混合信号システムに特に適しています。.

SiPパッケージ基板の高度な製造プロセス

SiP 基板の製造は、PCB テクノロジーの中で最も複雑な分野の 1 つです, 高密度相互接続を広範囲に採用 (HDI) およびビルドアッププロセス.

  1. コアプロセス – レーザードリリング & 電気めっきの充填: 製品の核心は高密度のマイクロビアです. 高精度レーザー装置を使用して、直径0.075mmという小さなマイクロブラインドビアを穴あけします。. その後, 高度なパルス電気めっき充填技術により、これらのマイクロビア内にボイドのない銅の堆積が保証されます。. このテクノロジーは、最大アスペクト比のマイクロビアを処理します。 1.5:1, 層間の電気接続における絶対的な信頼性を保証し、信号伝送のための低インピーダンス経路を提供します。.

  2. 高精度なパターン転写: 改良されたセミアディティブプロセスの利用 (msap) 超高精度露光技術との組み合わせ, 回路設計は銅箔に転写されます. これにより、50μmの細線を安定して実現できます。, 単位面積あたりの信号配線密度を高めるための基礎を築く (以上の提供 300% 従来のプロセスと比較して改善).

  3. 多層ラミネート & 表面仕上げ: 精密回路とプリプレグを備えた複数のコア層が正確に位置合わせされ、1 回のプレス サイクルで積層されます。. ついに, エネピグ表面仕上げを施しております, ニッケルの連続層を堆積する, パラジウム, そしてパッドにはゴールド. このプロセスは、ENIG の良好なはんだ付け性を組み合わせています。 (エレクトロレスニッケルイマージョンゴールド) with the corrosion resistance and prevention of “black pad” issues provided by the palladium layer, その後のチップ実装やワイヤボンディングに最適な表面を提供します。.

幅広い応用シナリオ: 将来のスマートデバイスに電力を供給

小型化のおかげで, 高性能, 高い信頼性, UGPCB’s SiP packaging substrates have become the preferred solution in several cutting-edge technology fields:

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