Vantaggi della progettazione di circuiti a microonde utilizzando TP-1/2
Costante dielettrica e temperatura operativa stabili
La costante dielettrica di TP-1/2 è stabile e può essere personalizzata nell'intervallo di 3.0 A 22.0, a seconda dei requisiti specifici del progetto del circuito. La temperatura operativa varia da -100 gradi Celsius a +150 gradi Celsius.
Resistenza alla pelatura affidabile e costi di produzione inferiori
TP-1/2 offre una resistenza alla pelatura più affidabile tra il rame e il substrato rispetto al rivestimento con pellicola sotto vuoto su substrati ceramici. Ciò rende più semplice per i clienti elaborare circuiti con velocità di passaggio più elevate e costi di produzione significativamente inferiori rispetto ai substrati ceramici.
Basso fattore di dissipazione e producibilità meccanica
TP-1/2 ha un fattore di dissipazione (Tgside) di ≤1*10^-3, con variazioni minime all’aumentare della frequenza. È anche facilmente lavorabile attraverso processi come la perforazione, pugni, macinazione, taglio, e acquaforte, che non sono possibili con i substrati ceramici.
Specifiche tecniche del TP-1/2
Aspetto
Liscio e pulito su entrambi i lati: nessuna macchia, graffi, o ammaccature.
Dimensione e tolleranza
- Dimensioni (A*B mm): 120100, 150150, 160160, 180180, 200200, 170240
- Tolleranza: -2
- Spessore e tolleranza: 0.8± 0,05, 1.0± 0,05, 1.2± 0,05, 1.5±0,06, 2.0± 0,075, 3.0±0,10, 4.0±0,10, 5.0± 0,12, 6.0± 0,12, 10.0± 0,2
- Laminazione personalizzata: Disponibili per dimensioni speciali.
Resistenza meccanica
- Forza della pelatura:
- Stato normale: ≥6N/cm
- In alternanza di umidità e temperatura: ≥4 N/cm
Proprietà chimica
Il metodo di attacco chimico utilizzato per i PCB può essere applicato senza alterare le proprietà dielettriche dei materiali.
Proprietà elettrica
| Nome | Condizione di prova | Unità | Valore |
|---|---|---|---|
| Densità | Stato normale | g/cm³ | 1.0~2.9 |
| Assorbimento di umidità | Immergere in acqua distillata a 20 ± 2 ° C per 24 ore | % | ≤0,02 |
| Temperatura operativa | Camera di temperatura ad alta bassa | ° C. | -100～+150 |
| Conducibilità termica | -55~288°C | W/m/k | 0.6 |
| Cte | Aumento della temperatura di 96°C all'ora | ppm/° C. | ≤6*10^-5 |
| Fattore di restringimento | 2 ore in acqua bollente | % | 0.0004 |
| Resistività superficiale | 500In DC, stato normale | Mω | ≥1*10^7 |
| Resistività al volume | Stato normale | Mω · cm | ≥1*10^9 |
| Resistenza dei perni | 500In DC, stato normale | Mω | ≥1*10^6 |
| Resistenza dielettrica superficiale | Stato normale | Kv/mm | ≥1,5 |
| Costante dielettrica | 10GHz | εr | 3,6,9.6,10.2,10.5,11,16,20,22(± 2%) (personalizzabile) |
| Fattore di dissipazione | 10GHz | Tgδ(εr 3-11) | ≤1*10^-3 |
| Fattore di dissipazione | Tgδ(εr 12-22) | ≤1,5*10^-3 |
Buongiorno,
Vuoi sapere se è disponibile un substrato con costante dielettrica? 6 e altezza di 2 o2,5 mm. e il prezzo.
grazie,
un saluto,
Ciao, abbiamo inoltrato la tua richiesta al dipartimento competente per la gestione. Si prega gentilmente di rimanere sintonizzati per gli aggiornamenti. Grazie per il vostro supporto.