Substrato CI con vie cieche | PCB HDI per il confezionamento di chip

UGPCB: Substrato CI cieco ad alta densità per imballaggi avanzati di semiconduttori

Substrato CI Blind Vias a 8 strati di UGPCB, costruito con materiale Mitsubishi Gas HF HL832NX, consente un'integrità del segnale superiore e interconnessioni ad alta densità per i chip di prossima generazione, con larghezza della linea di 30μm e micro via da 0,1 mm.

Mentre l'elettronica si evolve rapidamente verso miniaturizzazione, densità più elevata, e prestazioni migliorate, La tecnologia tradizionale a foro passante fatica a soddisfare le esigenze del moderno confezionamento di chip. Tecnologia Blind Via è emersa come una soluzione critica per Interconnessione ad alta densità (ISU) progetto.

Una via cieca è un foro conduttivo che collega uno strato esterno di un PCB a uno o più strati interni senza attraversare l'intero tabellone. Substrato CI cieco a 8 strati di UGPCB, utilizzando Materiale Mitsubishi Gas HF, esemplifica questa tecnologia avanzata, fornendo una precisione, piattaforma di interconnessione affidabile per packaging avanzato per semiconduttori.

Prodotto principale: Uno sguardo approfondito ai substrati CI Blind Vias

La tecnologia Blind Via definisce un tipo specifico di struttura di interconnessione che collega uno strato esterno solo a uno strato interno adiacente. A differenza di un foro passante via, sulla superficie della scheda inizia un via cieco che termina esattamente in corrispondenza di uno specifico strato di rame interno.

Questa struttura massimizza lo spazio di cablaggio utilizzabile eliminando i fori passanti non necessari, aumentando significativamente la densità dei circuiti: una combinazione perfetta per la spinta del settore verso fattori di forma più piccoli e maggiore integrazione.

Dal punto di vista dell'implementazione tecnica, la progettazione e la fabbricazione delle vie cieche aderiscono a standard rigorosi, come quelli descritti nel IPC-6012 qualificazione e specifiche prestazionali per materiali rigidi PCB. Sono tipicamente formati utilizzando processi di foratura laser, creando una struttura a foro conico. Ciò consente un controllo preciso su profondità e diametro, soddisfare i severi requisiti degli imballaggi avanzati per quanto riguarda le microfunzionalità e l'accuratezza della registrazione.

Specifiche tecniche & Vantaggi progettuali

Il design del substrato IC Blind Vias di UGPCB è altamente specializzato, coinvolgendo considerazioni critiche dalla selezione dei materiali all'architettura di impilamento.

Parametri tecnici chiave:

• Modello: Substrato CI con vie cieche

• Materiale principale: Mitsubishi GasHF (HL832NX) BT epossidico

• Conta dei strati: 8 Strati

• Spessore complessivo: 0.6 mm

• Dimensioni della scheda: 40 mmx 55 mm

• Maschera di saldatura: PSR-4000AUS308

• Finitura superficiale: Morbido (Immersione di nichel chimico) Oro

• Diametro minimo forato tramite laser: 0.1 mm

• Larghezza minima della linea / Spazio: 30 μm / 30 μm

Questo substrato utilizza il Giappone Materiale BT della serie HF di Mitsubishi Gas Chemical (HL832NX), noto per eccellente proprietà dielettriche (Dk/Df) E stabilità termica, rendendolo ideale per applicazioni ad alta frequenza e ad alta velocità. IL 30Tecnologia della linea fine μm è fondamentale per collegare chip con un elevato numero di pin, mentre il Finitura superficiale ENIG fornisce un appartamento, incollabile con filo, e superficie di saldatura affidabile.

Come funziona: Interconnessione di precisione & Integrità del segnale

La funzione principale di un substrato IC Blind Vias è quella di stabilire efficiente, collegamenti elettrici intercalare affidabili riducendo al minimo il consumo di beni immobili, rispondendo direttamente alle moderne esigenze di imballaggio alta densità e prestazioni superiori.

Per la trasmissione del segnale, i via ciechi offrono vantaggi distinti rispetto ai via a foro passante. I fori passanti possono creare fenomeni indesiderati stub che fungono da antenne, degradare l'integrità del segnale alle alte frequenze. Vias cieco, collegando solo gli strati necessari, eliminare questi stub non funzionali, riducendo la capacità parassita e l'induttanza per un pulitore, percorsi del segnale più stabili.

La fabbricazione utilizza tipicamente foratura laser a profondità controllata, offrendo precisione e consistenza superiori per le micro-vie rispetto alla perforazione meccanica. Questo è fondamentale per mantenendo un'elevata resa e qualità nella produzione in serie.

Per quanto riguarda l'integrità del segnale, il design linea/spazio da 30μm, combinato con il materiale dielettrico ottimizzato, consente una precisa Controllo dell'impedenza, ridurre al minimo la riflessione e la perdita: una preoccupazione fondamentale per Applicazioni RF e digitali ad alta velocità.

Tipi e classificazione delle strutture di via cieca

I substrati ciechi tramite possono essere classificati in base all'architettura di progettazione e all'applicazione:

• Per struttura: Vie cieche standard (collega due strati adiacenti) E Vie cieche impilate (più vie allineate verticalmente su più livelli, usato per complesso, interconnessioni profonde).

• Per posizione: Vie cieche (dalla superficie allo strato interno) E Vie sepolte (collegando solo gli strati interni, non esposto su nessuna delle due superfici). La combinazione di questi tipi consente un routing di interconnessione altamente complesso.

Vantaggi chiave e caratteristiche differenzianti

Processo di produzione: Un viaggio di precisione

La produzione di un substrato IC Blind Vias è a processo preciso e in più fasi:

1. Progetto & Generazione di file di perforazione: Utilizzo degli strumenti CAD (per esempio., Cadenza, Mentore) seguente IPC-2581 linee guida. I file di drill specificano tramite posizioni, dimensioni, e profondità.

2. Preparazione del materiale: Laminazione di un foglio di rame sul materiale centrale Mitsubishi HF.

3. Perforazione laser: Utilizzando Laser a CO₂ o UV per ablare il dielettrico e formare le micro-via con controllo preciso della profondità.

4. Disprezzante & Metallizzazione: Sbavatura al plasma pulisce il foro di via, seguito da deposizione chimica di rame per rendere conduttive le pareti del foro.

5. Placcatura con motivo & Imaging: Applicazione del fotoresist, esponendo, in via di sviluppo, e galvanica per costruire tracce di circuiti e cilindri passanti.

6. Laminazione & Allineamento dei livelli: Incollaggio di più strati incisi con pre -preg (Stadio B) dielettrico sotto calore e pressione. Precisione della registrazione è fondamentale (<±25 μm).

7. Elaborazione finale: Applicazione della maschera di saldatura (PSR-4000), finitura superficiale (Essere d'accordo), e test elettrici.

Applicazioni primarie e casi d'uso

I substrati CI Blind Vias sono essenziali nelle applicazioni più impegnative:

• Elettronica di consumo avanzata: Smartphone, compresse, e indossabili utilizzarli per il design compatto della scheda madre, connettere i processori applicativi, memoria, e sensori.

• Elettronica automobilistica: Critico per Moduli radar ADAS, sistemi di infotainment, e centraline controllo motore (COPERTINA), dove l'affidabilità alle alte temperature e alle vibrazioni è fondamentale (allineato con IPC-6012DA per automobilistico).

• Telecomunicazioni: 5Stazioni base G/6G, interruttori di rete, e moduli RF affidatevi a loro per un'eccellente integrità del segnale ad alta frequenza e controllo dell'impedenza.

• Calcolo ad alte prestazioni (HPC): Server, Acceleratori AI/ML, e GPU utilizzare questi substrati per densi, interconnessioni ad alta velocità tra die di silicio e memoria.

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