في عملية تجميع سطح PCBA, غالبًا ما تفشل المكونات الإلكترونية المختلفة. اليوم, نحن نشارك دراسة حالة حول تحليل فشل منظم خطي 3A, شرح كيفية النظر إلى ما وراء السطح وتحديد الخلل بسرعة.
1) وصف فشل الشريحة: تم قصر دائرة فين على الأرض.
تم قصر دائرة فين على الأرض.
2) تحليل فشل الجهاز: شهدت الشريحة EOS (الإجهاد الكهربائي الزائد) الفشل كما أكده الاختبار الرابع مع قصر دائرة فين على الأرض.
يؤكد الاختبار الرابع أن فين قد تعرض لدائرة كهربائية قصيرة.
لم يلاحظ أي شذوذ واضح في المظهر أو المسح الصوتي, لكن الأشعة السينية كشفت عن أضرار حروق مشتبه بها.
يشتبه في أنه تم حرقه
عند فتح الغطاء, لقد وجد أن احتراق EOS الخاص بالشريحة كان أكثر خطورة عند طرف VCNTL بدلاً من Vin.
تم حرق EOS الخاص بالشريحة
تم حرق EOS الخاص بالشريحة
3) تحليل السبب الجذري: يُشتبه في أن إجهاد الجهد الزائد الذي أدخلته VCNTL تسبب في فشل الشريحة. يتم تعريف دبوس VCNTL على أنه دبوس إدخال, والتي من المحتمل أن تتعرض لضغط الجهد الزائد.
يقدم VCNTL ضغطًا كهربائيًا مفرطًا يؤدي إلى الفشل
وكشف المزيد من التحليل أن مورفولوجيا المعدن على طول رابط VCNTL-VIN يبدو منصهرًا, وأظهر قياس IV بين VCNTL وVIN حدوث ماس كهربائي. لذلك, فشلت الشريحة بسبب ضغط الجهد الزائد الذي قدمته VCNTL. طابق تحليل المخطط المنطقي للرقاقة ظاهرة الفشل مع وظيفتها المنطقية.
مخطط المنطق رقاقة
أوضحت إزالة الطبقة العليا من المعدن أن فشل الشريحة كان سببه بالفعل ضغط الجهد الزائد الذي أدخلته VCNTL.
يقدم VCNTL ضغطًا كهربائيًا مفرطًا يؤدي إلى الفشل.
يقدم VCNTL ضغطًا كهربائيًا مفرطًا يؤدي إلى الفشل.
4) تأكيد مستوى المجلس: بعد التحليل, تم التأكيد على أن تلف الأجهزة الطرفية الأخرى على اللوحة تسبب في تجاوز ضغط الجهد على طرف VCNTL قيمة المواصفات الخاصة به. لذلك, كانت هذه الشريحة أ “ضحية.”
EOS هي الظاهرة الأكثر شيوعًا التي تمت مواجهتها في تحليل الفشل. يعد تحديد السبب الجذري من خلال أعراض فشل EOS أمرًا صعبًا ويتطلب من المحللين أن يكون لديهم تفكير منطقي واضح ومعرفة واسعة.
