Laminados revestidos de cobre com tecido de teflon F4B-N e F4B-T
Introdução ao F4B-N e F4B-T
Os laminados revestidos de cobre de tecido de vidro tecido de Teflon F4B-N e F4B-T são materiais essenciais para a fabricação de laminados revestidos de cobre de tecido de vidro tecido de Teflon. O processo de produção envolve o tratamento por imersão da resina de Teflon em tecido de vidro sem álcalis, seguido de secagem, cozimento, e sinterização para formular o material de microondas. Estes produtos são caracterizados pela resistência ao calor, isolamento, baixa perda, excelente desempenho elétrico, e propriedades de não adesão. Eles são amplamente utilizados em vários setores, incluindo eletrônicos, motores, aviação, têxteis, produtos químicos, e comida. Em dispositivos de microondas, eles servem como filmes de ligação para placas de circuito impresso multicamadas.

Tipos de materiais F4B-N e F4B-T
- Tecido de vidro tecido teflon antiaderente: F4B-N
- Tecido de vidro tecido teflon ventilado: F4B-T
Especificações técnicas de F4B-N e F4B-T
Aparência
A superfície é lisa e limpa, com descarga uniforme de cola e sem danos mecânicos.
Dimensões (milímetros)
- Comprimento: A=100~200mm
- Largura: B=900~4000mm
- Grossura:
- F4B-N: 0.08, 0.10, 0.15, 0.40 milímetros
- F4B-T: 0.04, 0.07 milímetros
- Tolerância:
- ±0,01 mm para F4B-N
- ±0,015 mm para F4B-T
- ±0,02 mm para F4B-N
- ±0,04 mm para F4B-T
- ±0,004 mm para F4B-N
- ±0,005 mm para F4B-T
Mecânico, Químico, e Propriedades Elétricas
| Nome | Condição de teste | Unidade | Valor |
|---|---|---|---|
| Resistência à tracção | Máquina de tração | N(± 5%) | 8 |
| Temperatura operacional | No forno | grau Celsius | 250°C a longo prazo, 300°C descontínuo |
| Propriedades Químicas | Mergulhe em ácido, Alcalino e Sal | Tudo Inerte | |
| Coeficiente de resistência superficial | Temperatura normal | Oh | ≥10^12 |
| Coeficiente de resistência de volume | Temperatura normal | Oh·cm | ≥1*10^13 |
| Tensão de ruptura | Várias Espessuras | KV | ≥0,6 a ≥1,5 |
| Constante dielétrica | 1GHz | εr | 2.7±0,1 |
| Fator de dissipação | 1GHz | tgδ | ≤2×10^-4 |
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