ในกระบวนการประกอบการยึดพื้นผิว PCBA, ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ มักจะล้มเหลว. วันนี้, เราจะแบ่งปันกรณีศึกษาเกี่ยวกับการวิเคราะห์ความล้มเหลวของตัวควบคุมเชิงเส้น 3A, อธิบายวิธีการมองข้ามพื้นผิวและระบุข้อผิดพลาดได้อย่างรวดเร็ว.
1) คำอธิบายความล้มเหลวของชิป: Vin ลัดวงจรลงกราวด์.
Vin ลัดวงจรลงกราวด์.
2) การวิเคราะห์ความล้มเหลวของอุปกรณ์: ชิปมีประสบการณ์ EOS (ไฟฟ้าเกินความเครียด) ความล้มเหลวตามที่ยืนยันโดยการทดสอบ IV โดยที่ Vin ลัดวงจรลงกราวด์.
การทดสอบ IV ยืนยันว่า Vin เกิดการลัดวงจร.
ไม่พบความผิดปกติที่ชัดเจนในลักษณะที่ปรากฏหรือการสแกนด้วยเสียง, แต่การเอ็กซ์เรย์พบว่ามีความเสียหายจากการเผาไหม้ที่น่าสงสัย.
สงสัยจะถูกเผา.
เมื่อเปิดฝาครอบออก, พบว่าความเหนื่อยหน่ายของ EOS ของชิปรุนแรงที่สุดที่พิน VCNTL มากกว่า Vin.
EOS ของชิปถูกไฟไหม้
EOS ของชิปถูกไฟไหม้
3) การวิเคราะห์สาเหตุที่แท้จริง: สงสัยว่าแรงดันไฟฟ้าเกินที่เกิดจาก VCNTL ทำให้ชิปทำงานล้มเหลว. พิน VCNTL ถูกกำหนดให้เป็นพินอินพุต, ซึ่งอาจทำให้เกิดความเครียดจากแรงดันไฟฟ้าเกินได้.
VCNTL ทำให้เกิดความเครียดทางไฟฟ้ามากเกินไปซึ่งนำไปสู่ความล้มเหลว
การวิเคราะห์เพิ่มเติมเผยให้เห็นว่าสัณฐานวิทยาของโลหะตามแนวเชื่อมต่อ VCNTL-VIN ดูเหมือนจะละลาย, และการวัดค่า IV ระหว่าง VCNTL และ VIN พบว่าเกิดการลัดวงจร. ดังนั้น, ชิปล้มเหลวเนื่องจากแรงดันไฟเกินที่แนะนำโดย VCNTL. การวิเคราะห์แผนภาพบล็อกลอจิกของชิปจับคู่ปรากฏการณ์ความล้มเหลวกับฟังก์ชันลอจิคัล.
แผนภาพลอจิกชิป
การถอดชั้นบนสุดของโลหะออกให้ความกระจ่างว่าความล้มเหลวของชิปนั้นแท้จริงแล้วเกิดจากความเครียดจากแรงดันไฟฟ้าเกินที่ VCNTL นำมาใช้.
VCNTL ทำให้เกิดความเครียดทางไฟฟ้ามากเกินไปซึ่งนำไปสู่ความล้มเหลว.
VCNTL ทำให้เกิดความเครียดทางไฟฟ้ามากเกินไปซึ่งนำไปสู่ความล้มเหลว.
4) การยืนยันระดับคณะกรรมการ: หลังการวิเคราะห์, ได้รับการยืนยันแล้วว่าความเสียหายต่ออุปกรณ์ต่อพ่วงอื่นๆ บนบอร์ดทำให้เกิดแรงดันไฟฟ้าบนพิน VCNTL เกินค่าข้อมูลจำเพาะ. เพราะฉะนั้น, ชิปตัวนี้เป็น “เหยื่อ.”
EOS เป็นปรากฏการณ์ที่พบบ่อยที่สุดที่พบในการวิเคราะห์ความล้มเหลว. การระบุสาเหตุที่แท้จริงผ่านอาการความล้มเหลวของ EOS เป็นเรื่องที่ท้าทาย และนักวิเคราะห์ต้องมีการคิดเชิงตรรกะที่ชัดเจนและมีความรู้กว้างขวาง.
